技术参数
| 品牌： | ON(安森美) |
| 型号： | NVMTS0D4N04CTXG |
| 封装： | DFNW-8 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 200000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | DFNW-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 558 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 450 uOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 4 V |
| Qg-栅极电荷： | 251 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 244 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Single |
| 晶体管类型： | 1 N- Channel |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 下降时间： | 76.8 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 51.5 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 201 ns |
| 典型接通延迟时间： | 57 ns |
| 单位重量： | 319.280 mg |
特点
•占地面积小（8x8 mm），设计紧凑
•低RDS（开启）以最大限度地减少传导损耗
•低QG和电容，最大限度地减少驱动器损耗
•Power 88封装，行业标准
•AEC−Q101合格且具备PPAP能力
•这些设备不含Pb−、无卤素/BFR且符合RoHS顺从的
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