技术参数
| 品牌： | Infineon |
| 型号： | IRFP4110PBF |
| 封装： | TO-247 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 2000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 180 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 3.7 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.8 V |
| Qg-栅极电荷： | 150 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 370 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 20.7 mm |
| 长度： | 15.87 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 5.31 mm |
| 单位重量： | 6 g |
100V单N沟道强IRFET™ TO-247封装中的功率MOSFET
强IRFET™ 功率MOSFET系列针对低RDS（导通）和高电流能力进行了优化。该设备非常适合需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合解决了广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。
特征描述
针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
根据JEDEC标准进行产品鉴定
行业标准通孔电源组件
高电流额定值
优势
分销合作伙伴提供的广泛可用性
行业标准资质等级
标准引脚允许插入式更换
高载流能力
潜在应用
智能手机
不间断电源
太阳能逆变器
直流电机驱动
电池供电应用
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